ROHM SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3040KRC15

RS tilauskoodi: 266-3884Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: SCT3040KRC15
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 20,90

€ 20,90 kpl (ilman ALV)

€ 26,23

€ 26,23 kpl (Sis ALV:n)

ROHM SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3040KRC15
Valitse pakkaustyyppi

€ 20,90

€ 20,90 kpl (ilman ALV)

€ 26,23

€ 26,23 kpl (Sis ALV:n)

ROHM SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3040KRC15
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 20,90
10 - 24€ 19,30
25 - 49€ 18,90
50 - 99€ 18,50
100+€ 16,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja