SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L ROHM SCT3080ARC15
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247-4L
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 7,10
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 8,91
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
€ 7,10
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 8,91
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247-4L
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.