N-Channel MOSFET, 3 A, 125 V, 8-Pin SOIC Semelab D5011UK

RS tilauskoodi: 738-7773Tuotemerkki: SemelabValmistajan osanumero.: D5011UK
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Semelab

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

125 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

7V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Length

4.06mm

Width

5.08mm

Transistor Material

Si

Series

TetraFET

Height

2.18mm

Alkuperämaa

United Kingdom

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 41,80

kpl (ilman ALV)

€ 51,83

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3 A, 125 V, 8-Pin SOIC Semelab D5011UK

€ 41,80

kpl (ilman ALV)

€ 51,83

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3 A, 125 V, 8-Pin SOIC Semelab D5011UK
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 41,80
10 - 19€ 40,50
20+€ 39,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Semelab

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

125 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

7V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Length

4.06mm

Width

5.08mm

Transistor Material

Si

Series

TetraFET

Height

2.18mm

Alkuperämaa

United Kingdom

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja