Semikron SKM100GB063D Dual IGBT Module, 130 A 600 V, 7-Pin SEMITRANS2, Screw Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
SemikronMaximum Continuous Collector Current
130 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Package Type
SEMITRANS2
Configuration
Dual
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Half Bridge
Dimensions
94 x 34 x 30.5mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Slovakia
Tuotetiedot
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 122,00
kpl (ilman ALV)
€ 151,28
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 122,00
kpl (ilman ALV)
€ 151,28
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 122,00 |
| 2 - 4 | € 116,00 |
| 5 - 9 | € 102,00 |
| 10+ | € 99,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
SemikronMaximum Continuous Collector Current
130 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Package Type
SEMITRANS2
Configuration
Dual
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Half Bridge
Dimensions
94 x 34 x 30.5mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Slovakia
Tuotetiedot
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.