STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E

RS tilauskoodi: 829-0627PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: PD55015-E
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Tuotetiedot

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 40,60

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 50,95

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Valitse pakkaustyyppi

€ 40,60

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 50,95

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerSO

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

73 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

9.6mm

Maximum Operating Temperature

+165 °C

Height

3.6mm

Typical Power Gain

14 dB

Tuotetiedot

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja