STMicroelectronics SCT1000N170 N-Channel MOSFET, 7 A, 1700 V, 3-Pin HiP247 SCT1000N170

RS tilauskoodi: 212-2091Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT1000N170
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

1700 V

Series

SCT1000N170

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.66 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 333,00

€ 11,10 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 417,92

€ 13,93 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT1000N170 N-Channel MOSFET, 7 A, 1700 V, 3-Pin HiP247 SCT1000N170

€ 333,00

€ 11,10 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 417,92

€ 13,93 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT1000N170 N-Channel MOSFET, 7 A, 1700 V, 3-Pin HiP247 SCT1000N170

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

1700 V

Series

SCT1000N170

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.66 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja