SiC N-Channel MOSFET Module, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT50N120
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.59 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1 038,00
€ 34,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 302,69
€ 43,423 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 1 038,00
€ 34,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 302,69
€ 43,423 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.59 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.