SiC N-Channel MOSFET Module, 98 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG

RS tilauskoodi: 202-5480Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCTH100N65G2-7AG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

98 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.02 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 29 100,00

€ 29,10 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 36 520,50

€ 36,52 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 98 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG

€ 29 100,00

€ 29,10 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 36 520,50

€ 36,52 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 98 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

98 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.02 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja