SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120

RS tilauskoodi: 202-5493Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCTWA30N120
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 26,70

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 33,508

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120

€ 26,70

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 33,508

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
30 - 30€ 26,70€ 801,00
60+€ 25,40€ 762,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja