STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
119 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCTWA90N65G2V-4
Package Type
HiP247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.024 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 984,00
€ 32,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 234,92
€ 41,164 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 984,00
€ 32,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 234,92
€ 41,164 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
119 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCTWA90N65G2V-4
Package Type
HiP247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.024 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.