N-Channel MOSFET, 20 A, 125 V, 4-Pin M174 STMicroelectronics SD2931-10W
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Package Type
M174
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
389 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
24.89mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Transistor Material
Si
Length
26.67mm
Height
4.11mm
Tuotetiedot
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 78,50
Each (In a Tray of 25) (ilman ALV)
€ 97,34
Each (In a Tray of 25) (Sis ALV:n)
25
€ 78,50
Each (In a Tray of 25) (ilman ALV)
€ 97,34
Each (In a Tray of 25) (Sis ALV:n)
25
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Package Type
M174
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
389 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
24.89mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Transistor Material
Si
Length
26.67mm
Height
4.11mm
Tuotetiedot
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.