STMicroelectronics ST901T NPN Darlington Transistor, 4 A 350 V HFE:500, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
500µA
Height
6.2mm
Width
2.4mm
Maximum Power Dissipation
100 W
Dimensions
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,30
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,612
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 1,30
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,612
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,30 | € 65,00 |
| 100+ | € 0,958 | € 47,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
350 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
500µA
Height
6.2mm
Width
2.4mm
Maximum Power Dissipation
100 W
Dimensions
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.