STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4

RS tilauskoodi: 188-8473PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STB12NM50T4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Number of Elements per Chip

1

Width

9.35mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

4.37mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 29,50

€ 5,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 37,02

€ 7,404 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4
Valitse pakkaustyyppi

€ 29,50

€ 5,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 37,02

€ 7,404 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STB12NM50T4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Number of Elements per Chip

1

Width

9.35mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

4.37mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja