N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N60M6

RS tilauskoodi: 192-4936Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STB18N60M6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.8 nC @ 10 V

Width

9.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,65

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,286

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N60M6
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,65

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,286

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N60M6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 2,65€ 13,25
25 - 45€ 2,50€ 12,50
50 - 120€ 2,25€ 11,25
125 - 245€ 2,05€ 10,25
250+€ 1,95€ 9,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16.8 nC @ 10 V

Width

9.35mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja