Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
4.37mm
Alkuperämaa
China
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,35
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 1,35
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
1000 - 1000 | € 1,35 | € 1 350,00 |
2000 - 4000 | € 1,30 | € 1 300,00 |
5000+ | € 1,25 | € 1 250,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
D2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
4.37mm
Alkuperämaa
China