N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6

RS tilauskoodi: 192-4650Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STB22N60M6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

D2PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Width

9.35mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

4.37mm

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,35

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6

€ 1,35

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,674

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB22N60M6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
1000 - 1000€ 1,35€ 1 350,00
2000 - 4000€ 1,30€ 1 300,00
5000+€ 1,25€ 1 250,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

D2PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Width

9.35mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

4.37mm

Alkuperämaa

China