STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB6N60M2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.35mm
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,50
€ 1,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,41
€ 1,882 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 7,50
€ 1,50 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,41
€ 1,882 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,50 | € 7,50 |
| 25 - 45 | € 1,40 | € 7,00 |
| 50 - 120 | € 1,25 | € 6,25 |
| 125 - 245 | € 1,15 | € 5,75 |
| 250+ | € 1,10 | € 5,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.35mm
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.