N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD35NF06T4

RS tilauskoodi: 760-9893PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STD35NF06T4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

44.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.6mm

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,46

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,577

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD35NF06T4
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,46

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,577

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD35NF06T4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

44.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.6mm

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja