N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD80N4F6

RS tilauskoodi: 791-9308Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STD80N4F6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

70 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,50

€ 1,05 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,18

€ 1,318 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD80N4F6
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 10,50
20€ 21,00
30€ 31,50
40€ 42,00
50€ 49,30
60€ 59,16
70€ 69,02
80€ 78,88
90€ 88,74
100€ 89,70
110€ 98,67
120€ 107,64
130€ 116,61
140€ 125,58
150€ 134,55

€ 10,50

€ 1,05 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,18

€ 1,318 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD80N4F6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 10,50
20€ 21,00
30€ 31,50
40€ 42,00
50€ 49,30
60€ 59,16
70€ 69,02
80€ 78,88
90€ 88,74
100€ 89,70
110€ 98,67
120€ 107,64
130€ 116,61
140€ 125,58
150€ 134,55

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 1,05€ 10,50
50 - 90€ 0,986€ 9,86
100 - 240€ 0,897€ 8,97
250 - 490€ 0,874€ 8,74
500+€ 0,852€ 8,52

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

70 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja