Dual N-Channel MOSFET, 3 A, 4 A, 5 V, 12 V, 8-Pin TSOT23-8L STMicroelectronics STEF512GR
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A, 4 A
Maximum Drain Source Voltage
5 V, 12 V
Series
E-Fuse
Package Type
TSOT23-8L
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.04 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
15V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,05
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,302
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1,05
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,302
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A, 4 A
Maximum Drain Source Voltage
5 V, 12 V
Series
E-Fuse
Package Type
TSOT23-8L
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.04 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
15V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.