N-Channel MOSFET Transistor, 13 A, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF18N60M6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,35
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 2,35
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,35 | € 117,50 |
| 100 - 450 | € 1,90 | € 95,00 |
| 500 - 950 | € 1,80 | € 90,00 |
| 1000 - 2450 | € 1,75 | € 87,50 |
| 2500+ | € 1,70 | € 85,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.