N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF35N60DM2

RS tilauskoodi: 111-6464Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STF35N60DM2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

54 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

16.4mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,20

€ 3,60 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,04

€ 4,518 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF35N60DM2
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,20
4€ 14,40
6€ 21,60
8€ 28,80
10€ 36,00
12€ 43,20
14€ 50,40
16€ 57,60
18€ 64,80
20€ 72,00
22€ 79,20
24€ 86,40
26€ 93,60
28€ 100,80
30€ 108,00

€ 7,20

€ 3,60 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,04

€ 4,518 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF35N60DM2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,20
4€ 14,40
6€ 21,60
8€ 28,80
10€ 36,00
12€ 43,20
14€ 50,40
16€ 57,60
18€ 64,80
20€ 72,00
22€ 79,20
24€ 86,40
26€ 93,60
28€ 100,80
30€ 108,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

54 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

16.4mm

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja