N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STFH18N60M2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh M2
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
11.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.8mm
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
16.2mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,934
1 kpl (46 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,158
1 kpl (46 kpl/putki) (Sis ALV:n)
46
€ 0,934
1 kpl (46 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,158
1 kpl (46 kpl/putki) (Sis ALV:n)
46
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh M2
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
11.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.8mm
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
16.2mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.