STMicroelectronics STGD5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS tilauskoodi: 906-2798Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGD5H60DF
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

83 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

855pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

221mJ

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,935

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,159

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGD5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 9,35
20€ 18,70
30€ 28,05
40€ 37,40
50€ 44,40
60€ 53,28
70€ 62,16
80€ 71,04
90€ 79,92
100€ 79,90
110€ 87,89
120€ 95,88
130€ 103,87
140€ 111,86
150€ 119,85

€ 0,935

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,159

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGD5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 9,35
20€ 18,70
30€ 28,05
40€ 37,40
50€ 44,40
60€ 53,28
70€ 62,16
80€ 71,04
90€ 79,92
100€ 79,90
110€ 87,89
120€ 95,88
130€ 103,87
140€ 111,86
150€ 119,85

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,935€ 9,35
50 - 90€ 0,888€ 8,88
100 - 240€ 0,799€ 7,99
250 - 490€ 0,72€ 7,20
500+€ 0,684€ 6,84

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

83 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

855pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

221mJ

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja