STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole

RS tilauskoodi: 165-3232Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGW8M120DF3
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

16 A @ +25°C

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

542pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.24mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,75

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 3,41

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole

€ 2,75

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 3,41

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
30 - 60€ 2,75€ 82,50
90 - 270€ 2,55€ 76,50
300 - 570€ 2,50€ 75,00
600 - 2970€ 2,20€ 66,00
3000+€ 1,80€ 54,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

16 A @ +25°C

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

542pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.24mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja