STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole

RS tilauskoodi: 165-3259Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGW8M120DF3
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

16 A @ +25°C

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

542pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.24mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,20

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,968

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,20

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,968

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGW8M120DF3 IGBT, 16 A @ +25°C 1200 V, 3-Pin TO, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 3,20€ 6,40
10+€ 2,70€ 5,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

16 A @ +25°C

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

542pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.24mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja