STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole

RS tilauskoodi: 192-4809Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGWT20H65FB
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

168 W

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,90

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,596

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,90

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,596

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 2,90€ 5,80
10 - 18€ 2,70€ 5,40
20 - 48€ 2,60€ 5,20
50 - 98€ 2,45€ 4,90
100+€ 2,30€ 4,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

168 W

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja