N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 6 + Tab-Pin H2PAK STMicroelectronics STH410N4F7-6AG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET F7
Package Type
H2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
365 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
8.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
141 nC @ 10 V
Width
10.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
4.8mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,50
€ 2,25 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,65
€ 2,824 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 4,50
€ 2,25 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,65
€ 2,824 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET F7
Package Type
H2PAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
365 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
8.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
141 nC @ 10 V
Width
10.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
4.8mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.