STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL4N80K5
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.4mm
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 300,00
€ 1,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 141,50
€ 1,38 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 3 300,00
€ 1,10 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 141,50
€ 1,38 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.4mm
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.