P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STMicroelectronics STL60P4LLF6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 094,00
€ 0,698 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 627,97
€ 0,876 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 2 094,00
€ 0,698 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 627,97
€ 0,876 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.