N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 STMicroelectronics STN3NF06L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.8mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,208
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,258
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 0,208
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,258
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.8mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.