STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6

RS tilauskoodi: 206-6067Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STO67N60DM6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

STO67N60DM6

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

59 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

25V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 8 910,00

€ 4,95 1 kpl (1800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 11 182,05

€ 6,212 1 kpl (1800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6

€ 8 910,00

€ 4,95 1 kpl (1800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 11 182,05

€ 6,212 1 kpl (1800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

STO67N60DM6

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

59 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

25V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja