N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10

RS tilauskoodi: 687-5295Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP120NF10
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

STripFET II

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

312 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

172 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.15mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,40

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,736

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,40

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,736

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP120NF10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

STripFET II

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

312 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

172 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.15mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja