N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP260N6F6

RS tilauskoodi: 760-9673Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP260N6F6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

183 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,20

€ 9,20 kpl (ilman ALV)

€ 11,55

€ 11,55 kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP260N6F6
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 9,20
2€ 18,40
3€ 27,60
4€ 36,80
5€ 43,50
6€ 52,20
7€ 60,90
8€ 69,60
9€ 78,30
10€ 78,00
11€ 85,80
12€ 93,60
13€ 101,40
14€ 109,20
15€ 117,00

€ 9,20

€ 9,20 kpl (ilman ALV)

€ 11,55

€ 11,55 kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP260N6F6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 9,20
2€ 18,40
3€ 27,60
4€ 36,80
5€ 43,50
6€ 52,20
7€ 60,90
8€ 69,60
9€ 78,30
10€ 78,00
11€ 85,80
12€ 93,60
13€ 101,40
14€ 109,20
15€ 117,00

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 9,20
5 - 9€ 8,70
10 - 24€ 7,80
25 - 49€ 7,10
50+€ 6,70

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Width

4.6mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

183 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja