Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,45
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,278
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 3,45
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,278
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
---|---|---|
50 - 50 | € 3,45 | € 172,50 |
100 - 200 | € 3,00 | € 150,00 |
250 - 450 | € 2,80 | € 140,00 |
500 - 950 | € 2,55 | € 127,50 |
1000+ | € 2,30 | € 115,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China