N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6

RS tilauskoodi: 192-4661Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP26N60DM6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,45

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 4,278

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6

€ 3,45

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 4,278

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 50€ 3,45€ 172,50
100 - 200€ 3,00€ 150,00
250 - 450€ 2,80€ 140,00
500 - 950€ 2,55€ 127,50
1000+€ 2,30€ 115,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China