N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP26N60DM6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,95
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,898
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 3,95
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,898
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,95 | € 7,90 |
| 10 - 18 | € 3,70 | € 7,40 |
| 20 - 48 | € 3,50 | € 7,00 |
| 50 - 98 | € 3,30 | € 6,60 |
| 100+ | € 3,15 | € 6,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.