N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP360N4F6

RS tilauskoodi: 792-6085PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STP360N4F6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

340 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Series

DeepGate, STripFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,45

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,07

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP360N4F6
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 2,45
2€ 4,90
3€ 7,35
4€ 9,80
5€ 12,25
6€ 14,70
7€ 17,15
8€ 19,60
9€ 22,05
10€ 24,50
11€ 26,95
12€ 29,40
13€ 31,85
14€ 34,30
15€ 36,75

€ 2,45

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 3,07

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP360N4F6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 2,45
2€ 4,90
3€ 7,35
4€ 9,80
5€ 12,25
6€ 14,70
7€ 17,15
8€ 19,60
9€ 22,05
10€ 24,50
11€ 26,95
12€ 29,40
13€ 31,85
14€ 34,30
15€ 36,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

340 nC @ 10 V

Width

4.6mm

Series

DeepGate, STripFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

15.75mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja