N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP8N65M5
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Height
15.75mm
Series
MDmesh M5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 5,25
€ 1,05 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,59
€ 1,318 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 5,25
€ 1,05 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,59
€ 1,318 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,05 | € 5,25 |
| 25 - 45 | € 1,00 | € 5,00 |
| 50+ | € 0,939 | € 4,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Height
15.75mm
Series
MDmesh M5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.