N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5

RS tilauskoodi: 791-7876PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STR2N2VH5
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

STripFET V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.3mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,151

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,187

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,151

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,187

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STMicroelectronics STR2N2VH5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

STripFET V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.3mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja