STMicroelectronics P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
STripFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.3mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 102,75
€ 0,411 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 128,95
€ 0,516 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
250
€ 102,75
€ 0,411 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 128,95
€ 0,516 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
250
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,411 | € 20,55 |
| 500+ | € 0,37 | € 18,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
STripFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.3mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.