STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

RS tilauskoodi: 876-5702PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STR2P3LLH6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

STripFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.3mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 102,75

€ 0,411 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 128,95

€ 0,516 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

250

Pakkauskoko 50
250€ 102,75
300€ 123,30
350€ 143,85
400€ 164,40
450€ 184,95
500€ 185,00
550€ 203,50
600€ 222,00
650€ 240,50
700€ 259,00
750€ 277,50
800€ 296,00
850€ 314,50
900€ 333,00
950€ 351,50

€ 102,75

€ 0,411 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 128,95

€ 0,516 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

250

Pakkauskoko 50
250€ 102,75
300€ 123,30
350€ 143,85
400€ 164,40
450€ 184,95
500€ 185,00
550€ 203,50
600€ 222,00
650€ 240,50
700€ 259,00
750€ 277,50
800€ 296,00
850€ 314,50
900€ 333,00
950€ 351,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
250 - 450€ 0,411€ 20,55
500+€ 0,37€ 18,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

STripFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.3mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja