N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L

RS tilauskoodi: 795-8868Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STS5NF60L
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Height

1.65mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,10

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,38

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 11,00
20€ 22,00
30€ 33,00
40€ 44,00
50€ 52,50
60€ 63,00
70€ 73,50
80€ 84,00
90€ 94,50
100€ 94,60
110€ 104,06
120€ 113,52
130€ 122,98
140€ 132,44
150€ 141,90

€ 1,10

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,38

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 11,00
20€ 22,00
30€ 33,00
40€ 44,00
50€ 52,50
60€ 63,00
70€ 73,50
80€ 84,00
90€ 94,50
100€ 94,60
110€ 104,06
120€ 113,52
130€ 122,98
140€ 132,44
150€ 141,90

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 1,10€ 11,00
50 - 90€ 1,05€ 10,50
100 - 240€ 0,946€ 9,46
250 - 490€ 0,852€ 8,52
500+€ 0,81€ 8,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

DeepGate, STripFET

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Height

1.65mm

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja