N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS6NF20V
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.25mm
Series
STripFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,349
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,433
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,349
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,433
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.25mm
Series
STripFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.