N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW10NK60Z

RS tilauskoodi: 486-3079Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW10NK60Z
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,10

kpl (ilman ALV)

€ 1,36

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW10NK60Z

€ 1,10

kpl (ilman ALV)

€ 1,36

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW10NK60Z
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

750 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja