STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z

RS tilauskoodi: 761-0617Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW12NK90Z
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

880 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

113 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,60

€ 6,60 kpl (ilman ALV)

€ 8,28

€ 8,28 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,60

€ 6,60 kpl (ilman ALV)

€ 8,28

€ 8,28 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin TO-247 STW12NK90Z
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 6,60
10 - 99€ 5,70
100 - 499€ 4,55
500 - 999€ 4,00
1000+€ 3,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

880 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

230 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

113 nC @ 10 V

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja