STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW4N150
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.15mm
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 153,00
€ 5,10 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 192,02
€ 6,40 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 153,00
€ 5,10 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 192,02
€ 6,40 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.15mm
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.