STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2

RS tilauskoodi: 111-6487Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STW70N60DM2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

446 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

121 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11,10

€ 11,10 kpl (ilman ALV)

€ 13,93

€ 13,93 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 11,10
2€ 22,20
3€ 33,30
4€ 44,40
5€ 55,50
6€ 66,60
7€ 77,70
8€ 88,80
9€ 99,90
10€ 111,00
11€ 122,10
12€ 133,20
13€ 144,30
14€ 155,40
15€ 166,50

€ 11,10

€ 11,10 kpl (ilman ALV)

€ 13,93

€ 13,93 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 11,10
2€ 22,20
3€ 33,30
4€ 44,40
5€ 55,50
6€ 66,60
7€ 77,70
8€ 88,80
9€ 99,90
10€ 111,00
11€ 122,10
12€ 133,20
13€ 144,30
14€ 155,40
15€ 166,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

446 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

121 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja