STMicroelectronics TIP122 NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.15mm
Width
4.6mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Tuotetiedot
TIP122 Darlington Transistors
STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.
The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,689
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,854
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 0,689
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,854
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,689 | € 34,45 |
| 100 - 200 | € 0,647 | € 32,35 |
| 250+ | € 0,62 | € 31,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.15mm
Width
4.6mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Tuotetiedot
TIP122 Darlington Transistors
STMicroelectronics presents its TIP122 range of Darlington pairs. Darlington pairs or transistors are a package of two standard BJT transistors that are used to amplify weak signals from one circuit to another circuit or microprocessor.
The TIP122 devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.