N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG

RS tilauskoodi: 171-3659Tuotemerkki: Taiwan SemiconductorValmistajan osanumero.: TSM090N03CP ROG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,349

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,433

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,349

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,433

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM090N03CP ROG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 50€ 0,349€ 8,72
75 - 125€ 0,302€ 7,55
150 - 475€ 0,264€ 6,60
500+€ 0,239€ 5,98

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja