N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG

RS tilauskoodi: 171-3697Tuotemerkki: Taiwan SemiconductorValmistajan osanumero.: TSM2308CX RFG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

192 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.99 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,308

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,382

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,308

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,382

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 200€ 0,308€ 15,40
250 - 450€ 0,299€ 14,95
500 - 950€ 0,291€ 14,55
1000+€ 0,285€ 14,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

192 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.99 nC @ 4.5 V

Width

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja