N-Channel MOSFET, 28 A, 20 V, 8-Pin SOP Taiwan Semi TSM4806CS RLG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Length
4.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.3 nC @ 4.5 V
Width
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,035
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,043
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,035
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,043
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Length
4.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.3 nC @ 4.5 V
Width
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.