N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G

RS tilauskoodi: 171-3632Tuotemerkki: Taiwan SemiconductorValmistajan osanumero.: TSM60NB260CI C0G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

ITO-220S

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

260 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

32.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Height

15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,65

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4,526

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G

1000

Pakkauskoko 1000
1000€ 3 650,00
2000€ 7 300,00
3000€ 10 950,00
4000€ 14 600,00
5000€ 18 250,00
6000€ 21 900,00
7000€ 25 550,00
8000€ 29 200,00
9000€ 32 850,00
10000€ 36 500,00
11000€ 40 150,00
12000€ 43 800,00
13000€ 47 450,00
14000€ 51 100,00
15000€ 54 750,00

€ 3,65

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 4,526

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin ITO-220S Taiwan Semi TSM60NB260CI C0G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1000

Pakkauskoko 1000
1000€ 3 650,00
2000€ 7 300,00
3000€ 10 950,00
4000€ 14 600,00
5000€ 18 250,00
6000€ 21 900,00
7000€ 25 550,00
8000€ 29 200,00
9000€ 32 850,00
10000€ 36 500,00
11000€ 40 150,00
12000€ 43 800,00
13000€ 47 450,00
14000€ 51 100,00
15000€ 54 750,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Taiwan Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

ITO-220S

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

260 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

32.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Width

4.6mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Height

15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja